- 王锦清;黄炎煌;杜建强;郭汉乡;林佳鑫;电晕处理是双向拉伸聚丙烯(BOPP)电容膜后处理工艺中的重要步骤。本文通过固定拉伸工艺,调整薄膜电晕处理的强度,系统研究了电晕处理及其强度对BOPP电容膜表面形貌、晶体结构、表面湿润张力以及电气强度的影响。结果表明:电晕处理降低了薄膜电晕面表面结构的物理高度。更重要的,电晕处理显著影响了薄膜的化学结构,在薄膜表面引入了键能更高的碳氧键(C-O、C=O)等极性键。随着电晕强度的增大,薄膜表面湿润张力增强,但同时使薄膜直流电气强度的Weibull拟合变得离散,电气性能稳定性下降。 2025年10期 v.58 66-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 1147K]
-  徐林海;李璐;吝伶艳;雷志鹏;张建花;康爱亮;芳纶绝缘纸常用作矿用干式变压器的绝缘材料,在矿井运行过程中长期受到热、水、电等多种因子的影响而逐渐老化。为了从微观角度研究这些老化因子对芳纶分子的作用机理,本文基于分子动力学模拟了不同温度、水分含量和电场下芳纶的微观结构和能量变化。结果表明:温度升高主要增加了分子成键作用能,苯环C-H键更容易伸长,分子链运动更为剧烈,进而导致氢键数量的波动增大;水分破坏了分子链间的氢键,使得分子链的结合能力变差,热运动受到的束缚更小,芳纶更容易发生物理老化;电场增大了酰胺基和苯环间的二面角扭转能,在电场强度为(0.1~0.4)×10~(10) V/m时,芳纶分子结构和势能变化较小,当电场强度为0.5×10~(10) V/m后,分子结构不再保持,大多数酰胺基扭转并沿电场取向,使体系电势能明显下降,温度升高。此外,温度和水分均促进了分子酰胺基在电场中发生转向极化。 2025年10期 v.58 73-81页 [查看摘要][在线阅读][下载 1083K]
- 汪彪;丁毅;王雅妮;王亚林;尹毅;功率模块封装绝缘承受方波电压和热应力的耦合作用,一旦引发局部放电(partial discharge,PD),将加速材料老化,进而导致绝缘失效。本文基于硅光电倍增阵列(silicon photomultiplier,SiPM),搭建了抗干扰性好的多光谱局部放电同步检测系统,在方波电压和高温条件下对功率模块硅弹性体封装绝缘进行加速老化实验,重点研究温度对硅弹性体封装绝缘老化过程中局部放电辐射光谱特性的影响。结果表明:局部放电主要产生近紫外波段的光信号,多光谱光辐射强度和平均放电发生率随温度升高而增加,近红外波段光辐射强度及其占比在绝缘失效前显著增加。光谱辐射机理分析表明,250~500 nm波段光子的产生可能与分子的电子能级跃迁有关,而500~800 nm波段光子的产生可能来自分子的化学键振动。 2025年10期 v.58 82-91页 [查看摘要][在线阅读][下载 1693K]
-  贺浩原;潘成;秦少瑞;姚雨杭;朱庆东;唐炬;硅光电倍增管(SiPM)具有很高的光学检测灵敏度,应用于电力设备绝缘状态监测和诊断前景广阔。本文对比了变压器油中SiPM传感器与高频电流传感器(HFCT)的局部放电检出特性,并研究了基于SiPM传感的油中局部放电多光谱特性。结果表明:对于针板放电,检测距离小于50 cm时,SiPM传感器的检测效果优于HFCT;对于悬浮放电,检测距离小于55 cm时,SiPM传感器的检测效果优于HFCT。针板放电下,350~480 nm波段内检测到的放电数量占比最高,480~577 nm波段内检测到的放电数量占比随着电压等级的升高而增加;悬浮放电下,350~480 nm波段内检测到的放电数量占比较少,而480~577 nm波段内检测到的放电数量占比较多。多光谱信息在油中局部放电类型的识别和严重程度诊断方面具备应用潜力。 2025年10期 v.58 92-101页 [查看摘要][在线阅读][下载 1443K]
- 陈锋;李梦齐;王先勇;汪宇轩;彭小圣;王旭;李茂;杨宗振;训练样本稀缺是实现GIL绝缘状态检测与故障诊断的关键难题。针对该问题,提出一种依据元学习理论与原型网络的小样本GIL局部放电模式识别方法,该方法通过优化空间映射网络,实现样本在高维空间的映射聚类。首先设计4种GIL典型缺陷模型,构建局部放电实验平台和对应的小样本局放数据库;然后绘制GIL与发电机局放相位图谱,分别作为测试集与训练集;接着采用元学习训练方法,将支持集样本个数依次局限为1、5、10、20以验证模型有效性,并将各方面识别性能与匹配网络、ResNet-18和GoogLeNet进行对比。结果表明:原型网络诊断准确率在仅提供5个支持样本时便可达到96%以上,相比于其他方法具有更高的识别精度、更强的稳定性以及良好的对未见新样本的泛化能力。 2025年10期 v.58 102-110页 [查看摘要][在线阅读][下载 1267K]